国家存储器基地再迎重大突破 中国首款64层三维

9月2日，紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布，公司已开始量产基于Xtacking架构的64层256　Gb　TLC　3D　NAND闪存芯片，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。

据悉，这是我国自主研发生产的首款64层3D　NAND闪存芯片，也是全球首款基于Xtacking架构设计并实现量产的闪存产品，拥有同代产品中最高的存储密度。

3D　NAND即三维闪存技术。过去，人们用到的存储芯片是平面的，相当于地面停车场，而三维闪存芯片是立体的，就像是立体停车场。同样的“占地面积”之下，立体芯片能够容纳更多倍数据量。

2018年底，长江存储第一代32层三维闪存产品量产。32层芯片在微观世界里就像是一栋32层的楼房，如果换算成一栋楼里的“房间”，足足有640亿个“房间”之多。如今64层芯片“大楼”，可以容纳的“数据房间”或将以几何级数增长。

Xtacking架构是长江存储自主研发的一种突破性3D闪存架构。它看上去就像一个由无数根罗马柱支撑起的宫殿，能够在两片独立的晶圆（指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片）上，分别加工外围电路和存储单元。当两片晶圆各自完工后，Xtacking技术只需一个处理步骤，就可通过数十亿根垂直互联通道，将两片晶圆键合。

长江存储联席首席技术官、技术研发中心高级副总裁程卫华表示，相比传统3D　NAND闪存架构，Xtacking可带来更快的传输速度、更高的存储密度。该架构引入批量生产后，能显著提升产品性能，缩短开发周期和生产制造周期，从而推动高速大容量存储解决方案市场的快速发展。

多年来，三星、镁光、SK海力士和东芝等几家国际大厂，几乎垄断了全球的NAND　Flash存储芯片市场供应，其中三星多年位居龙头，而中国在该产业领域几近空白。“此次量产，标志着长江存储已成功走出了一条高端芯片设计制造的创新之路。”他说，随着5G、人工智能和超大规模数据中心时代的到来，闪存市场的需求将持续增长。长江存储64层3D　NAND闪存产品的量产，将为全球存储器市场健康发展注入新动力。

长江存储器基地于2016年12月启动建设，标志着中国集成电路存储芯片产业，在规模化发展上实现了“零”的突破。

短短两年间，存储器基地一号芯片生产厂房封顶、国内首颗自主研发32层三维闪存芯片研发问世、芯片生产机台安装调试、首台光刻机进厂调试，一座芯片之城磅礴崛起。

围绕“一芯驱动”布局，未来几年，光谷将以科技创新大走廊为创新横轴，豹子溪生态廊道为生态纵轴，打造世界级“黄金十字轴”。这条大走廊，还将串起3条新千亿大道，并覆盖集成电路与新型显示、光电子信息、生物医药等一系列战略性新兴产业集聚带。